- 制造厂家:IXYS
- 类别封装:晶体管 > IGBT > IGBT 模块(分立半导体),E2
- 技术参数:IGBT MODULE 600V 20A 85W E2
- 需要MUBW10-06A7的报价? 那就马上联系我们吧!
- 最快当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格,射频微波器件一站式采购

MUBW10-06A7 技术参数详情:
- 产品型号:MUBW10-06A7
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > IGBT > IGBT 模块(分立半导体)
- 产品描述:IGBT MODULE 600V 20A 85W E2
- 产品封装:E2
- 产品系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:NPT
- 配置:三相反相器,带制动器
- 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 A
- 功率 - 最大值:85 W
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,10A
- 电流 - 集电极截止(最大值):600 μA
- 不同?Vce 时输入电容 (Cies):600 pF @ 25 V
- 输入:三相桥式整流器
- NTC 热敏电阻:是
- 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:E2
- 供应商器件封装:E2
- 快速提供MUBW10-06A7专业且全面的报价,IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。

更多IXYS产品:
- 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
- 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
- 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
- 接口 > 电信(集成电路(IC))
- 二极管 > 桥式整流器(分立半导体)
- 二极管 > 整流器 > 二极管阵列(分立半导体
- 晶体管 > IGBT > 单 IGBT(分立半导体)
- 晶体管 > IGBT > 单 IGBT(分立半导体)
- 二极管 > 整流器 > 单二极管(分立半导体)
- 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
- 白色 LED 照明(光电器件)
- RF 定向耦合器(射频和无线)
- 开发板,编程器配件(开发板,套件,编程器
- D-Sub、D 形连接器 > D-Sub 连接器组件(连
- 射频检测器(射频和无线)

MUBW10-06A7(制造商:IXYS) - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台