图片信息
- 制造厂家：IXYS
- 类别封装：晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体），TO-220-3
- 技术参数：IGBT DISCRETE TO-220
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IXYP20N120B4 技术参数详情：
- 产品型号:IXYP20N120B4
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
- 产品描述:IGBT DISCRETE TO-220
- 产品封装:TO-220-3
- 产品系列:XPT, GenX4
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:76 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130 A
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A
- 功率 - 最大值:375 W
- 开关能量:3.9mJ（开），1.6mJ（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:44 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/200ns
- 测试条件:960V，20A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):47 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220（IXYP）
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