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- 制造厂家：IXYS
- 类别封装：晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体），TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 技术参数：IGBT 650V 130A 600W TO263
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IXYA50N65C3 技术参数详情：
- 产品型号:IXYA50N65C3
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
- 产品描述:IGBT 650V 130A 600W TO263
- 产品封装:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 产品系列:GenX3, XPT
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:PT
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:130 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250 A
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，36A
- 功率 - 最大值:600 W
- 开关能量:1.3mJ（开），370μJ（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:80 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/80ns
- 测试条件:400V，36A，5 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:TO-263AA
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IXYA50N65C3（制造商：IXYS） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台