图片信息
- 制造厂家：IXYS
- 类别封装：晶体管 > IGBT > IGBT 模块（分立半导体），SOT-227-4，miniBLOC
- 技术参数：IGBT MOD 600V 200A 780W SOT227B
- 需要IXXN200N60C3H1的报价? 那就马上联系我们吧!
- 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
IXXN200N60C3H1 技术参数详情：
- 产品型号:IXXN200N60C3H1
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > IGBT > IGBT 模块（分立半导体）
- 产品描述:IGBT MOD 600V 200A 780W SOT227B
- 产品封装:SOT-227-4，miniBLOC
- 产品系列:XPT, GenX3
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:PT
- 配置:单路
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:200 A
- 功率 - 最大值:780 W
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:50 μA
- 不同?Vce 时输入电容 (Cies):9.9 nF @ 25 V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:无
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC
- 供应商器件封装:SOT-227B
- 快速提供IXXN200N60C3H1专业且全面的报价，IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
更多IXYS产品：
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
光晶体管，光电输出光隔离器（隔离器）
晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
晶闸管 > SCR 模块（分立半导体）
晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
电源管理（PMIC） > 栅极驱动器（集成电路（
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
RF 天线（射频和无线）
存储器 > 存储器（集成电路（IC））
扁平柔性电缆（FFC、FPC）（电缆组件）
馈通式电容器（滤波器）
矩形连接器 > 阵列，边缘型，夹层式（板对板
IXXN200N60C3H1（制造商：IXYS） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台