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- 制造厂家：IXYS
- 类别封装：晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体），TO-264-3，TO-264AA
- 技术参数：IGBT 650V 370A 1150W TO264
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IXXK200N65B4 技术参数详情：
- 产品型号:IXXK200N65B4
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
- 产品描述:IGBT 650V 370A 1150W TO264
- 产品封装:TO-264-3，TO-264AA
- 产品系列:GenX4, XPT
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:PT
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:370 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):1000 A
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，160A
- 功率 - 最大值:1150 W
- 开关能量:4.4mJ（开），2.2mJ（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:553 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:62ns/245ns
- 测试条件:400V，100A，1 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA
- 供应商器件封装:TO-264（IXXK）
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IXXK200N65B4（制造商：IXYS） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台