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- 制造厂家：IXYS
- 类别封装：晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体），TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 技术参数：MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
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IXTA08N100D2HV-TRL 技术参数详情：
- 产品型号:IXTA08N100D2HV-TRL
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体）
- 产品描述:MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
- 产品封装:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 产品系列:Depletion
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1000 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):800mA（Tj）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21 欧姆 @ 400mA，0V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 25μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）:14.6 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:325 pF @ 25 V
- FET 功能:耗尽模式
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263HV
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 快速提供IXTA08N100D2HV-TRL专业且全面的报价，IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
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