图片信息
- 制造厂家：IXYS
- 类别封装：晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体），TO-247-3
- 技术参数：IGBT 1000V 20A 100W TO247AD
- 需要IXGH10N100AU1的报价? 那就马上联系我们吧!
- 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
IXGH10N100AU1 技术参数详情：
- 产品型号:IXGH10N100AU1
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
- 产品描述:IGBT 1000V 20A 100W TO247AD
- 产品封装:TO-247-3
- 产品系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1000 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）:4V @ 15V，10A
- 功率 - 最大值:100 W
- 开关能量:2mJ（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:52 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:100ns/550ns
- 测试条件:800V，10A，150 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):60 ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247AD
- 快速提供IXGH10N100AU1专业且全面的报价，IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
更多IXYS产品：
固态继电器（继电器）
电源管理（PMIC） > 栅极驱动器（集成电路（
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
固态继电器（继电器）
二极管 > 整流器 > 二极管阵列（分立半导体
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
二极管 > 整流器 > 二极管阵列（分立半导体
评估板 > 嵌入式复杂逻辑器件（FPGA，CPLD）
同轴连接器（射频） > 同轴连接器（RF）端接
陶瓷电容器（电容器）
D-Sub、D 形连接器 > D-Sub，D 形连接器配件
射频环行器和隔离器（射频和无线）
IXGH10N100AU1（制造商：IXYS） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台