图片信息
- 制造厂家：IXYS
- 类别封装：晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体），TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 技术参数：IGBT 300V 223W TO263AA
- 需要IXGA42N30C3的报价? 那就马上联系我们吧!
- 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
IXGA42N30C3 技术参数详情：
- 产品型号:IXGA42N30C3
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
- 产品描述:IGBT 300V 223W TO263AA
- 产品封装:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 产品系列:GenX3
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:PT
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:300 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:-
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250 A
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）:1.85V @ 15V，42A
- 功率 - 最大值:223 W
- 开关能量:120μJ（开），150μJ（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:76 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/113ns
- 测试条件:200V，21A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:TO-263AA
- 快速提供IXGA42N30C3专业且全面的报价，IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
更多IXYS产品：
晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
晶闸管 > 双向可控硅（分立半导体）
二极管 > 整流器 > 单二极管（分立半导体）
晶闸管 > SCR 模块（分立半导体）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
固态继电器（继电器）
晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
晶闸管 > SCR 模块（分立半导体）
接口 > 电信（集成电路（IC））
二极管 > 整流器 > 二极管阵列（分立半导体
RF 其它 IC 和模块（射频和无线）
开发板，编程器配件（开发板，套件，编程器
矩形连接器 > 阵列，边缘型，夹层式（板对板
评估板 > 射频评估和开发套件，板（开发板，
扬声器（音频产品）
IXGA42N30C3（制造商：IXYS） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台