图片信息
- 制造厂家：IXYS
- 类别封装：晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体），TO-220-3（SMT）标片
- 技术参数：MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220
- 需要IXFV14N80P的报价? 那就马上联系我们吧!
- 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
IXFV14N80P 技术参数详情：
- 产品型号:IXFV14N80P
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体）
- 产品描述:MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220
- 产品封装:TO-220-3（SMT）标片
- 产品系列:HiPerFET, PolarHT
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:720 毫欧 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.5V @ 4mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）:61 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3900 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:400W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:PLUS220
- 封装/外壳:TO-220-3（SMT）标片
- 快速提供IXFV14N80P专业且全面的报价，IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
更多IXYS产品：
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
接口 > 模拟开关 - 特殊用途（集成电路（IC
二极管 > 桥式整流器（分立半导体）
晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET（分
晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
电源管理（PMIC） > 栅极驱动器（集成电路（
评估板 > 嵌入式 MCU、DSP 评估板（开发板，
D-Sub、D 形连接器 > D-Sub，D 形连接器底壳
圆形连接器 > 圆形连接器外壳（连接器，互连
保险丝（电路保护）
同轴电缆（射频）（电缆组件）
IXFV14N80P（制造商：IXYS） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台