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IXFT9N80Q 技术参数详情：
- 产品型号:IXFT9N80Q
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体）
- 产品描述:MOSFET N-CH 800V 9A TO268
- 产品封装:TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
- 产品系列:HiPerFET, Q Class
- 包装:盒
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 2.5mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:180W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-268AA
- 封装/外壳:TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
- 快速提供IXFT9N80Q专业且全面的报价，IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
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