图片信息
IXFN80N50 技术参数详情：
- 产品型号:IXFN80N50
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体）
- 产品描述:MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
- 产品封装:SOT-227-4，miniBLOC
- 产品系列:HiPerFET
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):66A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 8mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）:380 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9890 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:700W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 供应商器件封装:SOT-227B
- 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC
- 快速提供IXFN80N50专业且全面的报价，IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
更多IXYS产品：
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
固态继电器（继电器）
晶闸管 > SCR（分立半导体）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶闸管 > SCR 模块（分立半导体）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
评估板 > 射频评估和开发套件，板（开发板，
保险丝（电路保护）
评估板 > 扩展板，子卡（开发板，套件，编程
射频环行器和隔离器（射频和无线）
同轴连接器（射频） > 同轴连接器（RF）组件
IXFN80N50（制造商：IXYS） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台