图片信息
- 制造厂家：IXYS
- 类别封装：晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体），SOT-227-4，miniBLOC
- 技术参数：MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B
- 需要IXFN36N110P的报价? 那就马上联系我们吧!
- 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
IXFN36N110P 技术参数详情：
- 产品型号:IXFN36N110P
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分立半导体）
- 产品描述:MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B
- 产品封装:SOT-227-4，miniBLOC
- 产品系列:HiPerFET, Polar
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:240 毫欧 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:6.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）:350 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:23000 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:1000W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 供应商器件封装:SOT-227B
- 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC
- 快速提供IXFN36N110P专业且全面的报价，IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
更多IXYS产品：
晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶闸管 > SCR（分立半导体）
二极管 > 整流器 > 单二极管（分立半导体）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
晶闸管 > SCR（分立半导体）
二极管 > 整流器 > 单二极管（分立半导体）
二极管 > 桥式整流器（分立半导体）
晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET（分
射频环行器和隔离器（射频和无线）
馈通式电容器（滤波器）
陶瓷电容器（电容器）
射频接收器、发射器、收发器成品（射频和无
RF 其它 IC 和模块（射频和无线）
IXFN36N110P（制造商：IXYS） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台