图片信息
- 制造厂家：IXYS
- 类别封装：晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体），TO-247-3
- 技术参数：IGBT 600V 38A 125W ISOPLUS247
- 需要IXDR35N60BD1的报价? 那就马上联系我们吧!
- 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
IXDR35N60BD1 技术参数详情：
- 产品型号:IXDR35N60BD1
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
- 产品描述:IGBT 600V 38A 125W ISOPLUS247
- 产品封装:TO-247-3
- 产品系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:NPT
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:38 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):48 A
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，35A
- 功率 - 最大值:125 W
- 开关能量:1.6mJ（开），800μJ（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:140 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:-
- 测试条件:300V，35A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):40 ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:ISOPLUS247
- 快速提供IXDR35N60BD1专业且全面的报价，IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
更多IXYS产品：
晶闸管 > SCR 模块（分立半导体）
晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
二极管 > 整流器 > 单二极管（分立半导体）
固态继电器（继电器）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
接口 > 电信（集成电路（IC））
二极管 > 桥式整流器（分立半导体）
圆形连接器 > 圆形连接器组件（连接器，互连
陶瓷电容器（电容器）
圆形连接器 > 圆形连接器组件（连接器，互连
RF 其它 IC 和模块（射频和无线）
射频收发器 IC（射频和无线）
IXDR35N60BD1（制造商：IXYS） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台