图片信息
IXDN614YI 技术参数详情：
- 产品型号:IXDN614YI
- 产品品牌:IXYS Integrated Circuits Division
- 产品类目:电源管理（PMIC） > 栅极驱动器（集成电路（IC））
- 产品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5
- 产品封装:TO-263-6，D2PAK（5 引线 + 凸片），TO-263BA
- 产品系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 可编程:未验证
- 驱动配置:低端
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:4.5V ~ 35V
- 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，3V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:14A，14A
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
- 上升/下降时间（典型值）:25ns，18ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-6，D2PAK（5 引线 + 凸片），TO-263BA
- 供应商器件封装:TO-263-5
- 快速提供IXDN614YI专业且全面的报价，IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
更多IXYS产品：
晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
固态继电器（继电器）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
隔离器 - 栅极驱动器（隔离器）
射频接收器、发射器、收发器成品（射频和无
电阻器网络，阵列（电阻器）
馈通式电容器（滤波器）
圆形连接器 > 圆形连接器外壳（连接器，互连
RF 其它 IC 和模块（射频和无线）
IXDN614YI（制造商：IXYS） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台