图片信息
IXDN409YI 技术参数详情：
- 产品型号:IXDN409YI
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:电源管理（PMIC） > 栅极驱动器（集成电路（IC））
- 产品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263
- 产品封装:TO-263-6，D2PAK（5 引线 + 凸片），TO-263BA
- 产品系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 可编程:未验证
- 驱动配置:低端
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:4.5V ~ 35V
- 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，3.5V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:9A，9A
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
- 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-6，D2PAK（5 引线 + 凸片），TO-263BA
- 供应商器件封装:TO-263-5
- 快速提供IXDN409YI专业且全面的报价，IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
更多IXYS产品：
二极管 > 整流器 > 单二极管（分立半导体）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
二极管 > 整流器 > 单二极管（分立半导体）
二极管 > 桥式整流器（分立半导体）
晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
固态继电器（继电器）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
二极管 > 桥式整流器（分立半导体）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
D-Sub 电缆（电缆组件）
评估板 > 射频评估和开发套件，板（开发板，
射频开关（射频和无线）
RFID 应答器、标签（射频和无线）
陶瓷电容器（电容器）
IXDN409YI（制造商：IXYS） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台