
IXDD514D1 技术参数详情:
- 产品型号:IXDD514D1
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:电源管理(PMIC) > 栅极驱动器(集成电路(IC))
- 产品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN
- 产品封装:6-VDFN 焊盘托盘
- 产品系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 可编程:未验证
- 驱动配置:低端
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:4.5V ~ 30V
- 逻辑电压?- VIL,VIH:1V,2.5V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):14A,14A
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值(自举):-
- 上升/下降时间(典型值):25ns,22ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:6-VDFN 焊盘托盘
- 供应商器件封装:6-DFN(4x5)
- 快速提供IXDD514D1专业且全面的报价,IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。

更多IXYS产品:
- 二极管 > 整流器 > 单二极管(分立半导体)
- 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
- 晶闸管 > SCR 模块(分立半导体)
- 晶体管 > IGBT > 单 IGBT(分立半导体)
- 晶体管 > IGBT > 单 IGBT(分立半导体)
- 光晶体管,光电输出光隔离器(隔离器)
- 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
- 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
- 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
- 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
- 圆形连接器 > 圆形连接器组件(连接器,互连
- 射频放大器(射频和无线)
- 音频产品配件(音频产品)
- 射频环行器和隔离器(射频和无线)
- 存储器连接器 > PC 卡插座(连接器,互连器

IXDD514D1(制造商:IXYS) - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台