图片信息
IXDD408CI 技术参数详情：
- 产品型号:IXDD408CI
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:电源管理（PMIC） > 栅极驱动器（集成电路（IC））
- 产品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
- 产品封装:TO-220-5
- 产品系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 可编程:未验证
- 驱动配置:低端
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:4.5V ~ 25V
- 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，3.5V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:8A，8A
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
- 上升/下降时间（典型值）:14ns，15ns
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-5
- 供应商器件封装:TO-220-5
- 快速提供IXDD408CI专业且全面的报价，IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
更多IXYS产品：
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
接口 > 电信（集成电路（IC））
二极管 > 桥式整流器（分立半导体）
二极管 > 整流器 > 二极管阵列（分立半导体
晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
二极管 > 整流器 > 单二极管（分立半导体）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
射频环行器和隔离器（射频和无线）
馈通式电容器（滤波器）
陶瓷电容器（电容器）
射频混频器（射频和无线）
压接器，压接机，压力机 > 压接器，压接机，
IXDD408CI（制造商：IXYS） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台