- 制造厂家:IXYS
- 类别封装:晶体管 > IGBT > 单 IGBT(分立半导体),TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
- 技术参数:IGBT 1200V 38A 200W TO263AB
- 需要IXDA20N120AS的报价? 那就马上联系我们吧!
- 最快当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格,射频微波器件一站式采购

IXDA20N120AS 技术参数详情:
- 产品型号:IXDA20N120AS
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > IGBT > 单 IGBT(分立半导体)
- 产品描述:IGBT 1200V 38A 200W TO263AB
- 产品封装:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
- 产品系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:NPT
- 电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):38 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):-
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):3V @ 15V,20A
- 功率 - 最大值:200 W
- 开关能量:3.1mJ(开),2.4mJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:70 nC
- 25°C 时 Td(开/关)值:-
- 测试条件:600V,20A,82 欧姆,15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
- 供应商器件封装:TO-263AA
- 快速提供IXDA20N120AS专业且全面的报价,IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。

更多IXYS产品:
- 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
- 晶体管 > IGBT > 单 IGBT(分立半导体)
- 晶体管 > IGBT > 单 IGBT(分立半导体)
- 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
- 固态继电器(继电器)
- 二极管 > 整流器 > 二极管阵列(分立半导体
- 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
- 晶体管 > IGBT > 单 IGBT(分立半导体)
- 晶闸管 > 双向可控硅(分立半导体)
- 二极管 > 整流器 > 单二极管(分立半导体)
- RF 天线(射频和无线)
- 评估板 > 扩展板,子卡(开发板,套件,编程
- 馈通式电容器(滤波器)
- 评估板 > 射频评估和开发套件,板(开发板,
- 射频环行器和隔离器(射频和无线)

IXDA20N120AS(制造商:IXYS) - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台