图片信息
IXBT6N170 技术参数详情：
- 产品型号:IXBT6N170
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
- 产品描述:IGBT 1700V 12A TO268AA
- 产品封装:TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
- 产品系列:BIMOSFET
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:12 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):36 A
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）:3.4V @ 15V，6A
- 功率 - 最大值:75 W
- 开关能量:-
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:17 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:-
- 测试条件:-
- 反向恢复时间 (trr):1.08 μs
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
- 供应商器件封装:TO-268AA
- 快速提供IXBT6N170专业且全面的报价，IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
更多IXYS产品：
二极管 > 整流器 > 单二极管（分立半导体）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
二极管 > 整流器 > 单二极管（分立半导体）
二极管 > 桥式整流器（分立半导体）
晶体管 > IGBT > 单 IGBT（分立半导体）
固态继电器（继电器）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
二极管 > 桥式整流器（分立半导体）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
可穿戴设备（创客/DIY，教育）
馈通式电容器（滤波器）
D-Sub、D 形连接器 > D-Sub，D 形连接器顶丝
射频接收器、发射器、收发器成品（射频和无
射频混频器（射频和无线）
IXBT6N170（制造商：IXYS） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台