图片信息
- 制造厂家：IXYS
- 类别封装：电源管理（PMIC） > 栅极驱动器（集成电路（IC）），16-SOIC（0.295英寸，7.50mm 宽）
- 技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
- 需要IX4R11S3T/R的报价? 那就马上联系我们吧!
- 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
IX4R11S3T/R 技术参数详情：
- 产品型号:IX4R11S3T/R
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:电源管理（PMIC） > 栅极驱动器（集成电路（IC））
- 产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
- 产品封装:16-SOIC（0.295英寸，7.50mm 宽）
- 产品系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:10V ~ 35V
- 逻辑电压?- VIL，VIH:6V，7V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:650 V
- 上升/下降时间（典型值）:23ns，22ns
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:16-SOIC（0.295英寸，7.50mm 宽）
- 供应商器件封装:16-SOIC
- 快速提供IX4R11S3T/R专业且全面的报价，IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
更多IXYS产品：
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
固态继电器（继电器）
二极管 > 整流器 > 单二极管（分立半导体）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
二极管 > 整流器 > 单二极管（分立半导体）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
二极管 > 整流器 > 单二极管（分立半导体）
电源管理（PMIC） > LED 驱动器（集成电路（
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
白色 LED 照明（光电器件）
保险丝（电路保护）
射频放大器（射频和无线）
同轴连接器（射频） > 同轴连接器（RF）适配
白色 LED 照明（光电器件）
IX4R11S3T/R（制造商：IXYS） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台