- 制造厂家:IXYS
- 类别封装:二极管 > 整流器 > 二极管阵列(分立半导体),SOT-227-4,miniBLOC
- 技术参数:DIODE MOD SIC 1200V 49A SOT227B
- 需要DCG100X1200NA的报价? 那就马上联系我们吧!
- 最快当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格,射频微波器件一站式采购

DCG100X1200NA 技术参数详情:
- 产品型号:DCG100X1200NA
- 产品品牌:IXYS
- 产品类目:二极管 > 整流器 > 二极管阵列(分立半导体)
- 产品描述:DIODE MOD SIC 1200V 49A SOT227B
- 产品封装:SOT-227-4,miniBLOC
- 产品系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 二极管配置:2 个独立式
- 技术:SiC(Silicon Carbide)Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V
- 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):49A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.8 V @ 50 A
- 速度:无恢复时间 > 500mA(Io)
- 反向恢复时间 (trr):0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 μA @ 1200 V
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
- 供应商器件封装:SOT-227B
- 快速提供DCG100X1200NA专业且全面的报价,IXYS代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。

更多IXYS产品:
- 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
- 晶闸管 > SCR(分立半导体)
- 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
- 晶体管 > IGBT > 单 IGBT(分立半导体)
- 评估板 > 射频评估和开发套件,板(开发板,
- 晶体管 > IGBT > 单 IGBT(分立半导体)
- 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
- 固态继电器(继电器)
- 晶体管 > IGBT > 单 IGBT(分立半导体)
- 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
- 同轴连接器(射频) > 同轴连接器(RF)组件
- 馈通式电容器(滤波器)
- 评估板 > 射频评估和开发套件,板(开发板,
- 嵌入式 > 应用特定微控制器(集成电路(IC)
- 矩形连接器 > 阵列,边缘型,夹层式(板对板

DCG100X1200NA(制造商:IXYS) - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台